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IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
日期：2025-08-29 15:54
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摘要：IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
一、IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT模塊通常由多個 IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導通與關(guān)斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結(jié)構(gòu)形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關(guān)斷。
二、IGBT模...
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
一、IGBT模塊的結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT模塊通常由多個 IGBT 芯片、續(xù)流二極管、驅(qū)動電路、保護電路以及散熱基板等組成，并封裝在一個緊湊的模塊中。其核心部件 IGBT 芯片采用縱向結(jié)構(gòu)，包含集電極、發(fā)射極和柵極三個電極。
IGBT 的工作原理可以簡單理解為通過柵極電壓控制集電極和發(fā)射極之間的導通與關(guān)斷。當柵極施加正向電壓時，MOS 結(jié)構(gòu)形成導電溝道，為 BJT 提供基極電流，使 IGBT 導通；當柵極電壓為零或負壓時，導電溝道消失，IGBT 關(guān)斷。
二、IGBT模塊的優(yōu)勢
高輸入阻抗，低驅(qū)動功率： IGBT 的柵極采用 MOS 結(jié)構(gòu)，輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，簡化了驅(qū)動電路設(shè)計。
低導通壓降，高電流密度： IGBT 繼承了 BJT 的低導通壓降特性，能夠承受較高的電流密度，降低導通損耗。
高開關(guān)頻率，低開關(guān)損耗： IGBT 的開關(guān)速度比 BJT 快，開關(guān)損耗低，適用于高頻應用場合。
模塊化設(shè)計，易于安裝維護： IGBT 模塊將多個芯片和電路集成在一起，結(jié)構(gòu)緊湊，便于安裝和維護。
